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BUJ303A中文资料

  • 大小：68.7KB
  • 厂家：PHILIPS [Philips Semiconductors]
  • 描述：Silicon Diffused Power Transistor
  • 制造商：NXP
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：500 V
  • 最大直流电集电极电流：5 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：10
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOT-78
  • 封装：Rail
  • 集电极连续电流：5 A
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：100000 mW
  • 工厂包装数量：50
  • 零件号别名：BUJ303A,127

BUJ303A供应商

更新时间:2022-12-31 17:26:15
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